Kioxia sviluppa la tecnologia OCTRAM (transistor a canale a ossido-semiconduttore DRAM)
Kioxia Corporation, leader mondiale nel settore delle soluzioni di memoria, ha annunciato oggi lo sviluppo di OCTRAM (il transistor a canale a ossido-semiconduttore DRAM), un nuovo tipo di DRAM 4F2, c...
TOKYO: Kioxia Corporation, leader mondiale nel settore delle soluzioni di memoria, ha annunciato oggi lo sviluppo di OCTRAM (il transistor a canale a ossido-semiconduttore DRAM), un nuovo tipo di DRAM 4F2, costituito da un transistor a ossido-semiconduttore che presenta contemporaneamente un'elevata corrente di accensione e una bassissima corrente di spegnimento. Si prevede che tale tecnologia dovrebbe realizzare una DRAM a basso consumo sfruttando le proprietà di bassissima dispersione del transistor InGaZnO. L'annuncio è stato dato per la prima volta in occasione dell'IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), tenutosi a San Francisco, CA, il 9 dicembre 2024. Questo risultato è stato ottenuto congiuntamente da Nanya Technology e Kioxia Corporation.
Fonte: Business Wire
Notizie correlate
Speciali Tutti gli speciali
Calendario Tutto
Magazine Tutti i numeri
G11 Media Networks
ChannelCity e' un canale di BitCity, testata giornalistica registrata presso il tribunale di Como ,
n. 21/2007 del
11/10/2007- Iscrizione ROC n. 15698
G11 MEDIA S.R.L.
Sede Legale Via NUOVA VALASSINA, 4 22046 MERONE (CO) - P.IVA/C.F.03062910132
Registro imprese di Como n. 03062910132 - REA n. 293834 CAPITALE SOCIALE Euro 30.000 i.v.
